Elaboration and Characterization of interfacial abruptness in Si-SiGe heterostructured Nanowires (hNWs) obtained by VLS-CVD Method - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Elaboration and Characterization of interfacial abruptness in Si-SiGe heterostructured Nanowires (hNWs) obtained by VLS-CVD Method

P. Periwal
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique
G. Patriarche
L. Latu-Romain
Laboratoire des technologies de la microélectronique
B. Salem
Laboratoire des technologies de la microélectronique
F. Bassani
Laboratoire des technologies de la microélectronique

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https://hal.science/hal-00955748

Soumis le : mercredi 5 mars 2014-11:03:53

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:52:25

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Dates et versions

hal-00955748 , version 1 (05-03-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00955748 , version 1

Citer

P. Periwal, T. Baron, G. Patriarche, L. Latu-Romain, B. Salem, et al.. Elaboration and Characterization of interfacial abruptness in Si-SiGe heterostructured Nanowires (hNWs) obtained by VLS-CVD Method. Workshop NWG 2013, 2013, Lausanne, Switzerland. ⟨hal-00955748⟩

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