Article Dans Une Revue
Journal of Vacuum Science and Technology
Année : 2014
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https://hal.science/hal-00968799
Soumis le : mardi 1 avril 2014-15:33:46
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:01:09
Citer
R. Blanc, F. Leverd, Maxime Darnon, G. Cunge, S. David, et al.. Patterning of silicon nitride for CMOS gate spacer technology. III. Investigation of synchronously pulsed CH3F/O2/He plasmas. Journal of Vacuum Science and Technology, 2014, B 32 ,, pp.021807. ⟨10.1116/1.4867357⟩. ⟨hal-00968799⟩
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