Mobility coupling effects due to remote Coulomb scattering in thin-film FD-SOI CMOS devices

K. Bennamane (1) , I. Ben Akkez (1) , A. Cros (2) , C. Fenouillet-Beranger (3) , F. Balestra (1) , G. Ghibaudo (1)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 GEOPS - Géosciences Paris Sud
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

K. Bennamane, I. Ben Akkez, A. Cros, C. Fenouillet-Beranger, F. Balestra, et al.. Mobility coupling effects due to remote Coulomb scattering in thin-film FD-SOI CMOS devices. Electronics Letters, 2013, 49 (7), pp.490-491. ⟨10.1049/el.2012.4150⟩. ⟨hal-00994288⟩