Bias-Engineered Mobility in Advanced FD-SOI MOSFETs

C. Fernandez , N. Rodriguez (1) , A. Ohata (1) , F. Gamiz (1) , F. Andrieu (2) , C. Fenouillet-Beranger (2) , O. Faynot (2) , S. Cristoloveanu (1)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

C. Fernandez, N. Rodriguez, A. Ohata, F. Gamiz, F. Andrieu, et al.. Bias-Engineered Mobility in Advanced FD-SOI MOSFETs. IEEE Electron Device Letters, 2013, 34 (7), pp.840-842. ⟨10.1109/LED.2013.2264045⟩. ⟨hal-00994304⟩