Impact of back-gate biasing on effective field and mobility in ultrathin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors

A. Ohata (1) , N. Rodriguez (1) , C. Navarro (1) , L. Donetti , F. Gamiz (1) , C. Fenouillet-Beranger (2) , S. Cristoloveanu (1)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

A. Ohata, N. Rodriguez, C. Navarro, L. Donetti, F. Gamiz, et al.. Impact of back-gate biasing on effective field and mobility in ultrathin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors. Journ. Appl. Phys., 2013, 113 (14), pp.144514. ⟨10.1063/1.4799612⟩. ⟨hal-00994570⟩