A new characterization technique for SOI wafers: Split C(V) in pseudo-MOSFET configuration - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2013

A new characterization technique for SOI wafers: Split C(V) in pseudo-MOSFET configuration

C. Fernandez
  • Fonction : Auteur
F. Allibert
  • Fonction : Auteur
C. Mazure
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-01001928 , version 1 (05-06-2014)

Identifiants

Citer

A. Diab, C. Fernandez, A. Ohata, N. Rodriguez, I. Ionica, et al.. A new characterization technique for SOI wafers: Split C(V) in pseudo-MOSFET configuration. Solid-State Electronics, 2013, 90, pp.127-133. ⟨10.1016/j.sse.2013.02.041⟩. ⟨hal-01001928⟩
83 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More