A new method for the extraction of flat-band voltage and doping concentration in Tri-gate Junctionless Transistors

D.-Y. Jeon (1) , S. J. Park (1) , M. Mouis (1) , S. Barraud (2) , G.-T. Kim , G. Ghibaudo (1)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 LGCIE - Laboratoire de Génie Civil et d'Ingénierie Environnementale

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

D.-Y. Jeon, S. J. Park, M. Mouis, S. Barraud, G.-T. Kim, et al.. A new method for the extraction of flat-band voltage and doping concentration in Tri-gate Junctionless Transistors. Solid-State Electronics, 2013, 81, pp.113-118. ⟨10.1016/j.sse.2012.11.011⟩. ⟨hal-01001935⟩