Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01001968
Soumis le : jeudi 5 juin 2014-12:10:40
Dernière modification le : mardi 23 janvier 2024-15:27:50
Citer
D.-Y. Jeon, S. J. Park, M. Mouis, S. Barraud, G.-T. Kim, et al.. Effects of channel width variation on electrical characteristics of tri-gate Junctionless Transistors. Solid-State Electronics, 2013, 81, pp.58-62. ⟨10.1016/j.sse.2013.01.002⟩. ⟨hal-01001968⟩
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