Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01002182
Soumis le : jeudi 5 juin 2014-17:06:35
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:14:57
Citer
C. Diouf, A. Cros, A. Soussou, D. Rideau, S. Haendler, et al.. Unexpected impact of germanium content in SiGe bulk PMOSFETs. Solid-State Electronics, 2013, 86, pp.45-50. ⟨10.1016/j.sse.2013.04.024⟩. ⟨hal-01002182⟩
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