Current Conduction Model for Oxide-Based Resistive Random Access Memory Verified by Low Frequency Noise Analysis - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2013

Current Conduction Model for Oxide-Based Resistive Random Access Memory Verified by Low Frequency Noise Analysis

Z. Fang
  • Fonction : Auteur
H.Y. Yu
  • Fonction : Auteur
W. J. Fan
  • Fonction : Auteur
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
J. Buckley
  • Fonction : Auteur
B. Desalvo
  • Fonction : Auteur
Xiaojian Li
  • Fonction : Auteur
X. P. Wang
  • Fonction : Auteur
G. Q. Lo
  • Fonction : Auteur
D. L. Kwong
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01017480

Soumis le : mercredi 2 juillet 2014-15:47:04

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:13:55

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01017480 , version 1 (02-07-2014)

Identifiants

Citer

Z. Fang, H.Y. Yu, W. J. Fan, G. Ghibaudo, J. Buckley, et al.. Current Conduction Model for Oxide-Based Resistive Random Access Memory Verified by Low Frequency Noise Analysis. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (Issue3), pp.1272-1275. ⟨10.1109/TED.2013.2240457⟩. ⟨hal-01017480⟩

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