Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01017480
Soumis le : mercredi 2 juillet 2014-15:47:04
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:13:55
Citer
Z. Fang, H.Y. Yu, W. J. Fan, G. Ghibaudo, J. Buckley, et al.. Current Conduction Model for Oxide-Based Resistive Random Access Memory Verified by Low Frequency Noise Analysis. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (Issue3), pp.1272-1275. ⟨10.1109/TED.2013.2240457⟩. ⟨hal-01017480⟩
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