Sidewall mobility and series resistance in a multichannel tri-gate MOSFET - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Semiconductor Science and Technology Année : 2013
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Dates et versions

hal-01020881 , version 1 (08-07-2014)

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Citer

S.J. Park, D.Y. Jeon, L. Montes, S. Barraud, G.T. Kim, et al.. Sidewall mobility and series resistance in a multichannel tri-gate MOSFET. Semiconductor Science and Technology, 2013, 28 (6), pp.065009. ⟨10.1088/0268-1242/28/6/065009⟩. ⟨hal-01020881⟩
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