Novel back-biased UTBB lateral SCR for FDSOI ESD protections.

Y. Solaro (1) , P. Fonteneau , C.-A. Legrand , C. Fenouillet-Beranger (2) , P. Ferrari (1) , S. Cristoloveanu (1)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Mots clés: MOSFET; Leakage currents; Electrostatic discharges; Integrated circuits

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Y. Solaro, P. Fonteneau, C.-A. Legrand, C. Fenouillet-Beranger, P. Ferrari, et al.. Novel back-biased UTBB lateral SCR for FDSOI ESD protections.. 43rd ESSDERC, Sep 2013, Bucarest, Romania. pp.222-225, ⟨10.1109/ESSDERC.2013.6818859⟩. ⟨hal-01021321⟩