"Frequency effect on voltage linearity of ZrO2 based RF Metal-Insulator-Metal capacitors" - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2010

"Frequency effect on voltage linearity of ZrO2 based RF Metal-Insulator-Metal capacitors"

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Isabelle Michelin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01073558

Soumis le : vendredi 10 octobre 2014-09:57:06

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:09:12

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Dates et versions

hal-01073558 , version 1 (10-10-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01073558 , version 1

Citer

T. Bertaud, S. Blonkowski, C. Bermond, Corentin Vallée, P. Gonon, et al.. "Frequency effect on voltage linearity of ZrO2 based RF Metal-Insulator-Metal capacitors". IEEE Electron Device Letters, 2010, 31 (2), pp.114-116. ⟨hal-01073558⟩

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