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hal-00148274v1  Conference papers
F. RochetteM. CasséM. MouisG. ReimboldF. Boulanger. Détermination expérimentale de la variation de la masse de conductivité des électrons dans un transistor MOS sous contrainte uniaxiale selon [110]
Journées "Simulation et caractérisation des nanocomposants" du GDR Nanoélectronique, 2006, GRENOBLE, France. pp.XX
hal-00604959v1  Conference papers
G. GhibaudoM. MouisL. Pham-NguyenK. BennamaneI. Pappas et al.  Drift-diffusion and Ballistic Mobility Characterization in Nano CMOS Devices
GDR Nanoélectronique, Atelier, De la réalité et de l'intérêt du transport balistique dans les composants nanoélectroniques, May 2009, Orsay, France
hal-00391739v1  Journal articles
C. BuranM. G. PalaM. BescondM. Mouis. Full-three dimensional quantum approach to evaluate the surface-roughness-limited magnetoresistance mobility in SNWT
Journal of Computational Electronics, Springer Verlag, 2008, 7 (3, 1569-1572)
hal-00596176v1  Journal articles
K. BennamaneT. BoutchachaG. GhibaudoM. MouisN. Collaert. DC and Low Frequency Noise Characterization of FinFET Devices
Solid-State Electronics, Elsevier, 2009, 53, pp.1263-1267
hal-00604646v1  Conference papers
Cuiqin XuP. BatudeC. RauerC. Le RoyerL. Hutin et al.  Ion-Ioff performance analysis of FDSOI MOSFETs with low processing temperature
Solid-State Devices Meeting, Sep 2010, tokyo, Japan
hal-00147170v1  Conference papers
W. ChaisantikulwatM. MouisG. GhibaudoS. CristoloveanuJ. Widiez et al.  Experimental evidence of mobility enhancement in short-channel ultra-thin body double-gate MOSFETs
36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC'06), 2006, Genève, Switzerland. Actes pp. 367-370
hal-00147173v1  Conference papers
M. CasséL. ThévenodB. GuillaumotL. TostiV. Cosnier et al.  Impact of TiN/HfO2 integration on carrier mobility
Proceedings of MRS Spring Meeting 2006, 2006, San Francisco, United States. pp.XX
hal-00148277v1  Conference papers
L. ThevenodM. CasséW. DesratM. MouisG. Reimbold et al.  Mesures de magnétorésistance pour caractériser la mobilité dans les MOSFETs à empilement de grille TiN/HfO2/SiO2
Journées "Simulation et caractérisation des nanocomposants" du GDR Nanoélectronique, 2006, GRENOBLE, France. pp.XX
hal-00596081v1  Journal articles
C. BuranM.G. PalaM. BescondM. DuboisM. Mouis. Three-Dimensional Real-Space Simulation of Surface Roughness in Silicon Nanowire FETs
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, 56 (10), pp.2186-2192
hal-01929331v1  Conference papers
M. LegallaisT. NguyenM. MouisB. SalemC. Ternon. Toward the integration of Si nanonets into FETs for biosensing applications
2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Apr 2017, Athens, Greece. pp.231-234, ⟨10.1109/ULIS.2017.7962570⟩
hal-00604929v1  Conference papers
M. MouisL. MontésX. XuJ.W. LeeF. Rochette et al.  Nanowires in the Beyond CMOS and More than Moore perspectives : Electromechanical properties
SINANO-NANOSIL Workshop: "On the convergence between More Moore, More Than Moore and Beyond CMOS, Sep 2010, Seville, Spain
hal-00393320v1  Journal articles
S. BarraudL. ThévenodM. CasséO. BonnoM. Mouis. Modeling of remote Coulomb scattering limited mobility in MOSFETs with HfO2/SiO2 gate stacks
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2007, 84 (9-10), pp.2404-2407
hal-01020854v1  Journal articles
G. ArdilaR. HinchetM. MouisL. Montes. Scaling prospects in mechanical energy harvesting with piezo nanowires
European Physical Journal: Applied Physics, EDP Sciences, 2013, 63 (1), pp.14407. ⟨10.1051/epjap/2013120483⟩
hal-00604956v1  Conference papers
C. BuranM.G. PalaS. PoliM. Mouis. Etude du transport dans les composants ultracourts sur SOI
Journées Transport balistique du GDR Nanoélectronique, May 2009, Orsay, France
hal-00604965v1  Conference papers
R. HinchetX. XuJ.W LeeB. BercuA. Potie et al.  Une nouvelle méthode AFM pour caractériser les propriétés piézoélectriques de nanostructures : Application pour la récupération d'énergie à partir de nanofils
Journées Nationales sur la récupération et le stockage d'énergie pour l'alimentation des microsystèmes autonomes,, Oct 2010, Paris, France
hal-00392545v1  Conference papers
M. CasséF. RochetteN. BhouriF. AndrieuK. Romanjek et al.  Mobility of strained and unstrained short channel MOSFETs: New insight by magnetoresistance
2008 Symposium on VLSI Technology, June 17-20, 2008, Honolulu, Hawaï (USA) Proceedings IEEE, Jun 2008, Honolulu, United States. pp.170-1
hal-00147175v1  Conference papers
J. WidiezM. VinetB. GuillaumotT. PoirouxD. Lafond et al.  Fully Depleted SOI MOSFETs with WSix metal gate on HfO2 gate dielectric
2006 International SOI Conference, 2006, Etats-Unis, United States. Actes pp. 161-162
hal-00147942v1  Conference papers
F. GuillotP. GarciaM. Mouis. Analysis of the intermodulation distortion and nonlinearity of common-base SiGeC HBTs
13th IEEE International Conference on Electronics, 2006, Grenoble, France. pp.XX