Control of stoichiometry and morphology in polycrystalline V2O3 thin films using oxygen buffers - Institut des matériaux Jean Rouxel Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Materials Science Année : 2020

Control of stoichiometry and morphology in polycrystalline V2O3 thin films using oxygen buffers

Domaines

Matériaux
Fichier principal
Vignette du fichier
BESLAND_J-Mat-Sci_2020_55__14717.pdf (703.8 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-02932318 , version 1 (18-12-2020)

Identifiants

Citer

Jonathan Rupp, Benoît Corraze, Marie-Paule Besland, Laurent Cario, Julien Tranchant, et al.. Control of stoichiometry and morphology in polycrystalline V2O3 thin films using oxygen buffers. Journal of Materials Science, 2020, 55 (30), pp.14717-14727. ⟨10.1007/s10853-020-05028-0⟩. ⟨hal-02932318⟩
56 Consultations
120 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More