A network topological approach based transient three-dimensional electro-thermal model of insulated gate bipolar transistor - Laboratoire d'Electronique et Electromagnétisme Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

A network topological approach based transient three-dimensional electro-thermal model of insulated gate bipolar transistor

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Electromagnétisme

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https://hal.sorbonne-universite.fr/hal-03167523

Soumis le : vendredi 12 mars 2021-10:43:10

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Dates et versions

hal-03167523 , version 1 (12-03-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03167523 , version 1

Citer

Jiajia Chen, Shiyou Yang, Zhuoxiang Ren. A network topological approach based transient three-dimensional electro-thermal model of insulated gate bipolar transistor. Conference COMPUMAG 2019, Jul 2019, Paris, France. ⟨hal-03167523⟩

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