Chirality-induced tunneling asymmetry at a semiconductor interface - Département de physique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B Année : 2020

Chirality-induced tunneling asymmetry at a semiconductor interface

Domaines

Physique [physics]

HENRI JAFFRES  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03002677

Soumis le : jeudi 12 novembre 2020-21:43:09

Dernière modification le : vendredi 19 avril 2024-11:50:08

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Dates et versions

hal-03002677 , version 1 (12-11-2020)

Identifiants

Citer

I. Rozhansky, D. Quang To, H. Jaffrès, H.-J. Drouhin. Chirality-induced tunneling asymmetry at a semiconductor interface. Physical Review B, 2020, 102 (4), ⟨10.1103/PhysRevB.102.045428⟩. ⟨hal-03002677⟩

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