Polycrystalline AlN films deposited at low temperature for selective UV detectors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Sensors and Actuators A: Physical Année : 2004

Polycrystalline AlN films deposited at low temperature for selective UV detectors

José Alvarez
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Alexander Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
V. Afanasjev
  • Fonction : Auteur
V.V. Luchinin
  • Fonction : Auteur
A.P. Sazanov
  • Fonction : Auteur
E.I. Terukov
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00321026

Soumis le : vendredi 12 septembre 2008-10:15:28

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00321026 , version 1 (12-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321026 , version 1

Citer

José Alvarez, Alexander Gudovskikh, Jean-Paul Kleider, V. Afanasjev, V.V. Luchinin, et al.. Polycrystalline AlN films deposited at low temperature for selective UV detectors. Sensors and Actuators A: Physical , 2004, 113, pp.355-359. ⟨hal-00321026⟩

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