Nouveau matériau à grand gap BGaN pour les applications optoélectroniques dans l'ultraviolet : croissance et caractérisation

S. Gautier C. Sartel J. Martin Sidi Ould Saad 1 P. Bonanno A. Sirenko F. Mériche A. Boudrioua Zakaria Djebbour 1 Cyril Bazin 1 F. Jomard A. Ougazzaden
1 LGEP - Laboratoire de génie électrique de Paris
Type de document :
Communication dans un congrès
25èmes Journées Nationales d'Optique Guidée, 2006, France. 2006
Liste complète des métadonnées
https://hal-supelec.archives-ouvertes.fr/hal-00321872
Contributeur : Olivier Schneegans <>
Soumis le : mardi 16 septembre 2008 - 10:14:33
Dernière modification le : jeudi 29 mars 2018 - 11:06:01

Identifiants

  • HAL Id : hal-00321872, version 1

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Citation

S. Gautier, C. Sartel, J. Martin, Sidi Ould Saad, P. Bonanno, et al.. Nouveau matériau à grand gap BGaN pour les applications optoélectroniques dans l'ultraviolet : croissance et caractérisation. 25èmes Journées Nationales d'Optique Guidée, 2006, France. 2006. 〈hal-00321872〉

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