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Conference papers
Growth of GaN by metal organic vapor phase epitaxy on ZnO-buffered c-sapphire substrates
A. Ougazzaden
D.J. Rogers
F. Hosseini Teherani
T. Moudakir
S. Gautier
T. Aggerstam
S. Ould Saad
J. Martin
Zakaria Djebbour
1
O. Durand
G. Garry
A. Lusson
D. Mcgrouther
J.N. Chapman
S. Gautier
Author
T. Aggerstam
Author
S. Ould Saad
Author IdHAL : sidi-ould-saad-hamady ResearcherId : http://www.researcherid.com/rid/C-8386-2016 ORCID : https://orcid.org/0000-0002-0480-6381
J. Martin
Author
D. Mcgrouther
Author
J.N. Chapman
Author
1
LGEP - Laboratoire de génie électrique de Paris (11 rue Joliot Curie Plateau de Moulon 91192 GIF SUR YVETTE CEDEX - France)
- UP11 - Université Paris-Sud - Paris 11 (Bâtiment 300 - 91405 Orsay cedex - France)
- UPMC - Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (4 place Jussieu - 75005 Paris - France)
- SUPELEC (France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR8507 (France)
Document type :
Conference papers
Complete list of metadatas
https://hal-supelec.archives-ouvertes.fr/hal-00322269
Contributor : Olivier Schneegans <>
Submitted on : Wednesday, September 17, 2008 - 10:41:24 AM
Last modification on : Wednesday, September 16, 2020 - 4:42:15 PM
Contributor : Olivier Schneegans <>
Submitted on : Wednesday, September 17, 2008 - 10:41:24 AM
Last modification on : Wednesday, September 16, 2020 - 4:42:15 PM
Identifiers
- HAL Id : hal-00322269, version 1
Citation
A. Ougazzaden, D.J. Rogers, F. Hosseini Teherani, T. Moudakir, S. Gautier, et al.. Growth of GaN by metal organic vapor phase epitaxy on ZnO-buffered c-sapphire substrates. E-MRS 2007 Spring Meeting, 2007, France. ⟨hal-00322269⟩
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