Growth of GaN by metal organic vapor phase epitaxy on ZnO-buffered c-sapphire substrates

Type de document :
Communication dans un congrès
E-MRS 2007 Spring Meeting, 2007, France
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Contributeur : Olivier Schneegans <>
Soumis le : mercredi 17 septembre 2008 - 10:41:24
Dernière modification le : jeudi 29 mars 2018 - 11:06:01

Identifiants

  • HAL Id : hal-00322269, version 1

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Citation

A. Ougazzaden, D.J. Rogers, F. Hosseini Teherani, T. Moudakir, S. Gautier, et al.. Growth of GaN by metal organic vapor phase epitaxy on ZnO-buffered c-sapphire substrates. E-MRS 2007 Spring Meeting, 2007, France. 〈hal-00322269〉

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