Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates - Archive ouverte HAL

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Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates

(1) , , (1) , , (1) , , (1)

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Yrebegnan Moussa Soro

Fonction : Auteur

Laboratoire de génie électrique de Paris

A. Abramov

Fonction : Auteur

Marie-Estelle Gueunier-Farret

Fonction : Auteur
PersonId : 14061
IdHAL : marie-gueunier-farret
ORCID : 0000-0003-1615-498X
IdRef : 166935093

Laboratoire de génie électrique de Paris

E.V. Johnson

Fonction : Auteur
PersonId : 739097
IdHAL : erikvjohnson
ORCID : 0000-0003-0920-2111
IdRef : 253120209

Christophe Longeaud

Fonction : Auteur
PersonId : 6409
IdHAL : christophe-longeaud
ORCID : 0000-0002-7175-3267
IdRef : 076747425

Laboratoire de génie électrique de Paris

Pere Roca I Cabarrocas

Fonction : Auteur
PersonId : 760063
ORCID : 0000-0003-2241-2762
IdRef : 034125663

Jean-Paul Kleider

Fonction : Auteur
PersonId : 5984
IdHAL : jean-paul-kleider
ORCID : 0000-0003-4388-6326
IdRef : 03273039X

Laboratoire de génie électrique de Paris

Olivier Schneegans : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00322281

Soumis le : mercredi 17 septembre 2008-11:05:51

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Dates et versions

hal-00322281 , version 1 (17-09-2008)

Identifiants

HAL Id : hal-00322281 , version 1

Citer

Yrebegnan Moussa Soro, A. Abramov, Marie-Estelle Gueunier-Farret, E.V. Johnson, Christophe Longeaud, et al.. Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates. 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, ICANS 22, 2007, United States. ⟨hal-00322281⟩

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