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Communication Dans Un Congrès Année : 2007

High interfacial conductivity at amorphous silicon/crystalline silicon heterojunctions

Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Yrebegnan Moussa Soro
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Rémy Chouffot
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
A.S. Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
Pere Roca I Cabarrocas
J. Damon-Lacoste
  • Fonction : Auteur
D. Eon
  • Fonction : Auteur
P.J. Ribeyron
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00322289

Soumis le : mercredi 17 septembre 2008-15:57:31

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00322289 , version 1 (17-09-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00322289 , version 1

Citer

Jean-Paul Kleider, Yrebegnan Moussa Soro, Rémy Chouffot, A.S. Gudovskikh, Pere Roca I Cabarrocas, et al.. High interfacial conductivity at amorphous silicon/crystalline silicon heterojunctions. 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, ICANS 22, 2007, United States. ⟨hal-00322289⟩

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