Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Non-Crystalline Solids Année : 2008

Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates

Yrebegnan Moussa Soro
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
A. Abramov
  • Fonction : Auteur
Marie-Estelle Gueunier-Farret
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
E.V. Johnson
CV
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
Pere Roca I Cabarrocas
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00350767

Soumis le : mercredi 7 janvier 2009-16:06:49

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00350767 , version 1 (07-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00350767 , version 1

Citer

Yrebegnan Moussa Soro, A. Abramov, Marie-Estelle Gueunier-Farret, E.V. Johnson, Christophe Longeaud, et al.. Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates. Journal of Non-Crystalline Solids, 2008, 354, pp.2092. ⟨hal-00350767⟩

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