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Journal articles
Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates
Yrebegnan Moussa Soro
1
A. Abramov
Marie-Estelle Gueunier-Farret
1
E.V. Johnson
Christophe Longeaud
1
Pere Roca I Cabarrocas
Jean-Paul Kleider
1
Yrebegnan Moussa Soro 1
Author
A. Abramov
Author
Marie-Estelle Gueunier-Farret 1
Author IdHAL : marie-gueunier-farret ORCID : https://orcid.org/0000-0003-1615-498X
E.V. Johnson
Author IdHAL : erikvjohnson ORCID : https://orcid.org/0000-0003-0920-2111
Christophe Longeaud 1
Author IdHAL : christophe-longeaud
Pere Roca I Cabarrocas
Author
Jean-Paul Kleider 1
Author IdHAL : jean-paul-kleider ORCID : https://orcid.org/0000-0003-4388-6326
1
LGEP - Laboratoire de génie électrique de Paris (11 rue Joliot Curie Plateau de Moulon 91192 GIF SUR YVETTE CEDEX - France)
- UP11 - Université Paris-Sud - Paris 11 (Bâtiment 300 - 91405 Orsay cedex - France)
- UPMC - Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (4 place Jussieu - 75005 Paris - France)
- Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE) (France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR8507 (France)
Document type :
Journal articles
Complete list of metadata
https://hal-supelec.archives-ouvertes.fr/hal-00350767
Contributor : Olivier Schneegans <>
Submitted on : Wednesday, January 7, 2009 - 4:06:49 PM
Last modification on : Thursday, June 17, 2021 - 3:46:53 AM
Contributor : Olivier Schneegans <>
Submitted on : Wednesday, January 7, 2009 - 4:06:49 PM
Last modification on : Thursday, June 17, 2021 - 3:46:53 AM
Identifiers
- HAL Id : hal-00350767, version 1
Citation
Yrebegnan Moussa Soro, A. Abramov, Marie-Estelle Gueunier-Farret, E.V. Johnson, Christophe Longeaud, et al.. Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates. Journal of Non-Crystalline Solids, Elsevier, 2008, 354, pp.2092. ⟨hal-00350767⟩
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