Growth of GaN by metal organic vapor phase epitaxy on ZnO-buffered c-sapphire substrates

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Article dans une revue
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2008, pp.944
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Contributeur : Olivier Schneegans <>
Soumis le : mercredi 7 janvier 2009 - 16:53:17
Dernière modification le : jeudi 29 mars 2018 - 11:06:01

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  • HAL Id : hal-00350864, version 1

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A. Ougazzaden, D. J. Rogers, F. Hosseini Teherani, T. Moudakir, S. Gautier, et al.. Growth of GaN by metal organic vapor phase epitaxy on ZnO-buffered c-sapphire substrates. Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2008, pp.944. 〈hal-00350864〉

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