High diffusion length silicon germanium alloy thin films deposited by pulsed rf PECVD method - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Non-Crystalline Solids Année : 2008

High diffusion length silicon germanium alloy thin films deposited by pulsed rf PECVD method

P. Chaudhuri
  • Fonction : Auteur
A. Bhaduri
  • Fonction : Auteur
A. Bandyopadhyay
  • Fonction : Auteur
S. Vignoli
P.P. Ray
  • Fonction : Auteur
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00350868

Soumis le : mercredi 7 janvier 2009-16:56:01

Dernière modification le : mardi 23 janvier 2024-11:53:50

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00350868 , version 1 (07-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00350868 , version 1

Citer

P. Chaudhuri, A. Bhaduri, A. Bandyopadhyay, S. Vignoli, P.P. Ray, et al.. High diffusion length silicon germanium alloy thin films deposited by pulsed rf PECVD method. Journal of Non-Crystalline Solids, 2008, 354, pp.2105. ⟨hal-00350868⟩

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