Structural and optoelectronic properties of SiGe alloy thin films deposited by pulsed RF plasma CVD - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2008

Structural and optoelectronic properties of SiGe alloy thin films deposited by pulsed RF plasma CVD

A. Bhaduri
  • Fonction : Auteur
P. Chaudhuri
  • Fonction : Auteur
D.L. Williamson
  • Fonction : Auteur
S. Vignoli
P.P. Ray
  • Fonction : Auteur
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00350895

Soumis le : mercredi 7 janvier 2009-17:21:20

Dernière modification le : mardi 23 janvier 2024-11:53:50

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Dates et versions

hal-00350895 , version 1 (07-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00350895 , version 1

Citer

A. Bhaduri, P. Chaudhuri, D.L. Williamson, S. Vignoli, P.P. Ray, et al.. Structural and optoelectronic properties of SiGe alloy thin films deposited by pulsed RF plasma CVD. Journal of Applied Physics, 2008, 104, pp.063709. ⟨hal-00350895⟩

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