Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates - Archive ouverte HAL

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Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates

(1) , (1) , (1) , (1)

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Yrebegnan Moussa Soro

Fonction : Auteur

Laboratoire de génie électrique de Paris

Marie-Estelle Gueunier-Farret

Fonction : Auteur
PersonId : 14061
IdHAL : marie-gueunier-farret
ORCID : 0000-0003-1615-498X
IdRef : 166935093

Laboratoire de génie électrique de Paris

Christophe Longeaud

Fonction : Auteur
PersonId : 6409
IdHAL : christophe-longeaud
ORCID : 0000-0002-7175-3267
IdRef : 076747425

Laboratoire de génie électrique de Paris

Jean-Paul Kleider

Fonction : Auteur
PersonId : 5984
IdHAL : jean-paul-kleider
ORCID : 0000-0003-4388-6326
IdRef : 03273039X

Laboratoire de génie électrique de Paris

Olivier Schneegans : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00351235

Soumis le : jeudi 8 janvier 2009-17:03:34

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Dates et versions

hal-00351235 , version 1 (08-01-2009)

Identifiants

HAL Id : hal-00351235 , version 1

Citer

Yrebegnan Moussa Soro, Marie-Estelle Gueunier-Farret, Christophe Longeaud, Jean-Paul Kleider. Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates. Journées annuelles de la SF2M 2008, Jun 2008, Paris, France. pp.CD-ROM. ⟨hal-00351235⟩

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