Development of large area single junction amorphous silicon solar cell from argon dilution of silane in a single chamber PECVD system - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Development of large area single junction amorphous silicon solar cell from argon dilution of silane in a single chamber PECVD system

P. Pratim Ray
  • Fonction : Auteur
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
D. Daineka
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00446005

Soumis le : lundi 11 janvier 2010-17:01:12

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:52

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00446005 , version 1 (11-01-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00446005 , version 1

Citer

P. Pratim Ray, Christophe Longeaud, D. Daineka. Development of large area single junction amorphous silicon solar cell from argon dilution of silane in a single chamber PECVD system. 18th International photovoltaic science and engineering conference, 2009, Kolkata, Inde. pp.CD-Rom Proceedings. ⟨hal-00446005⟩

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