Hydrogenated polymorphous silicon at high deposition rate : serious alternative for cost-effective modules - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Hydrogenated polymorphous silicon at high deposition rate : serious alternative for cost-effective modules

E.V. Johnson
CV
A. Abramov
  • Fonction : Auteur
K.H. Kim
  • Fonction : Auteur
Yrebegnan Soro
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Marie-Estelle Farret-Gueunier
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
J. Méot
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Pere Roca I Cabarrocas

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00446006

Soumis le : lundi 11 janvier 2010-17:01:20

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:52

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00446006 , version 1 (11-01-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00446006 , version 1

Citer

E.V. Johnson, A. Abramov, K.H. Kim, Yrebegnan Soro, Marie-Estelle Farret-Gueunier, et al.. Hydrogenated polymorphous silicon at high deposition rate : serious alternative for cost-effective modules. 18th International Photovoltaic Science and Engineering Conference and Exhibition, 2009, Kolkata, India. ⟨hal-00446006⟩

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