µc-Si1-xCx:H deposited by RF-PECVD: a novel material for PV applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

µc-Si1-xCx:H deposited by RF-PECVD: a novel material for PV applications

Sofia Gaiaschi
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
E.V. Johnson
CV
Marie-Estelle Gueunier-Farret
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
Pavel Bulkin
P. Chapon
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

Thierry Leblanc  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00931311

Soumis le : mercredi 15 janvier 2014-11:29:52

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00931311 , version 1 (15-01-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00931311 , version 1

Citer

Sofia Gaiaschi, E.V. Johnson, Marie-Estelle Gueunier-Farret, Christophe Longeaud, Pavel Bulkin, et al.. µc-Si1-xCx:H deposited by RF-PECVD: a novel material for PV applications. E-MRS Fall Meeting 2013, Sep 2013, Warsaw, Poland. ⟨hal-00931311⟩

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