Temperature and Bias Dependence of Hydrogenated Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction Capacitance: The Link to Band Bending and Band Offsets - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Temperature and Bias Dependence of Hydrogenated Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction Capacitance: The Link to Band Bending and Band Offsets

Thierry Leblanc  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-00931318

Soumis le : mercredi 15 janvier 2014-11:29:53

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00931318 , version 1 (15-01-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00931318 , version 1

Citer

Olga Maslova, Aurore Brézard-Oudot, Marie-Estelle Gueunier-Farret, José Alvarez, Wilfried Favre, et al.. Temperature and Bias Dependence of Hydrogenated Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction Capacitance: The Link to Band Bending and Band Offsets. ICANS 25, Aug 2013, Toronto, Canada. ⟨hal-00931318⟩

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