Structural, optoelectronic and electrical properties of GaAs microcrystals grown from (001) Si nano-areas - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Structural, optoelectronic and electrical properties of GaAs microcrystals grown from (001) Si nano-areas

José Alvarez
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Alexandre Jaffré
Laboratoire de génie électrique de Paris
Charles Renard
CV
N. Cherkasin
  • Fonction : Auteur
Timothée Molière
Laboratoire de génie électrique de Paris
Laetitia Vincent
R. Hamouche
  • Fonction : Auteur
V. Yam
  • Fonction : Auteur
F. Fossard
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Denis Mencaraglia
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV
Daniel Bouchier
  • Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00931323

Soumis le : mercredi 15 janvier 2014-11:29:53

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00931323 , version 1 (15-01-2014)

Identifiants

Citer

José Alvarez, Alexandre Jaffré, Charles Renard, N. Cherkasin, Timothée Molière, et al.. Structural, optoelectronic and electrical properties of GaAs microcrystals grown from (001) Si nano-areas. Erice School 2013 - Nano-Structures For Optics And Photonics, Jul 2013, Erice, Italy. pp.485-486, ⟨10.1007/978-94-017-9133-5_37⟩. ⟨hal-00931323⟩

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