a-Si:H/c-Si heterojunction interface properties from Hall measurements of surface inversion layer - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

a-Si:H/c-Si heterojunction interface properties from Hall measurements of surface inversion layer

Alexander Gudovskikh
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
E.V. Nikitina
  • Fonction : Auteur
Jean-Paul Kleider
Laboratoire de génie électrique de Paris
CV

Domaines

Physique [physics]

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https://centralesupelec.hal.science/hal-01099577

Soumis le : dimanche 4 janvier 2015-18:58:18

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:00

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01099577 , version 1 (04-01-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01099577 , version 1

Citer

Alexander Gudovskikh, E.V. Nikitina, Jean-Paul Kleider. a-Si:H/c-Si heterojunction interface properties from Hall measurements of surface inversion layer. E-MRS Spring Meeting 2014, European Materials Research Society, May 2014, Lille, France. ⟨hal-01099577⟩

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