Temperature and bias dependence of hydrogenated amorphous silicon – crystalline silicon heterojunction capacitance: the link to band bending and band offsets

Type de document :
Article dans une revue
Canadian Journal of Physics, NRC Research Press, 2014, 92 (7/8), pp.690-695. 〈10.1139/cjp-2013-0544〉
Liste complète des métadonnées

https://hal-supelec.archives-ouvertes.fr/hal-01099596
Contributeur : Thierry Leblanc <>
Soumis le : dimanche 4 janvier 2015 - 20:08:52
Dernière modification le : vendredi 14 décembre 2018 - 01:31:01

Identifiants

Citation

O. Maslova, A. Brézard-Oudot, M.E. Gueunier-Farret, J. Alvarez, W. Favre, et al.. Temperature and bias dependence of hydrogenated amorphous silicon – crystalline silicon heterojunction capacitance: the link to band bending and band offsets. Canadian Journal of Physics, NRC Research Press, 2014, 92 (7/8), pp.690-695. 〈10.1139/cjp-2013-0544〉. 〈hal-01099596〉

Partager

Métriques

Consultations de la notice

121