Electronic Properties of Large Area Nitrogen Doped Trilayer Graphene on 4H-SiC (0001)

Type de document :
Communication dans un congrès
IRAGO 2014, Nov 2014, Tsukuba, Japan. Proceedings of the Irago Conference 2014, pp.7PM-4, 2014
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Contributeur : Thierry Leblanc <>
Soumis le : vendredi 16 janvier 2015 - 19:07:46
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:19:11

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  • HAL Id : hal-01104492, version 1

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Citation

Mohamed Boutchich, Hakim Arezki, David Alamarguy, K.I. Ho, Sediri Haikel, et al.. Electronic Properties of Large Area Nitrogen Doped Trilayer Graphene on 4H-SiC (0001). IRAGO 2014, Nov 2014, Tsukuba, Japan. Proceedings of the Irago Conference 2014, pp.7PM-4, 2014. 〈hal-01104492〉

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