Doping and characterization of trilayer graphene on 4H-SiC (0001)

Mohamed Boutchich 1 Hakim Arezki 1 David Alamarguy 1 K.I. Ho Haikel Sediri Fethullah Gunes 2 José Alvarez 1 Jean-Paul Kleider 1 C.S. Lai A. Ouerghi 3
1 LGEP - Laboratoire de génie électrique de Paris
2 Department of Energy Science
3 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
Type de document :
Communication dans un congrès
International Workshop on Nanodevices and Materials, Nov 2014, Tokyo, Japan
Liste complète des métadonnées
https://hal-supelec.archives-ouvertes.fr/hal-01104494
Contributeur : Thierry Leblanc <>
Soumis le : vendredi 16 janvier 2015 - 19:19:01
Dernière modification le : vendredi 16 novembre 2018 - 02:03:50

Identifiants

  • HAL Id : hal-01104494, version 1

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Citation

Mohamed Boutchich, Hakim Arezki, David Alamarguy, K.I. Ho, Haikel Sediri, et al.. Doping and characterization of trilayer graphene on 4H-SiC (0001). International Workshop on Nanodevices and Materials, Nov 2014, Tokyo, Japan. 〈hal-01104494〉

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