Role of Anions in the AuCl3-Doping Trilayers N-doped Graphene on 4H-SiC (0001)

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IRAGO 2014, Nov 2014, Tsukuba, Japan. pp.7P8
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Contributeur : Thierry Leblanc <>
Soumis le : vendredi 16 janvier 2015 - 19:24:46
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:19:11

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  • HAL Id : hal-01104496, version 1

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Hakim Arezki, Mohamed Boutchich, David Alamarguy, Fethullah Gunes, José Alvarez, et al.. Role of Anions in the AuCl3-Doping Trilayers N-doped Graphene on 4H-SiC (0001). IRAGO 2014, Nov 2014, Tsukuba, Japan. pp.7P8. 〈hal-01104496〉

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