AlGaN-based multi-quantum wells emitting at 285 nm grown on a thick AlGaN relaxed buffer on AlN template

Xin Li 1 Suresh Sundaram 1 Youssef El Gmili 1 Tarik Moudakir 1 Pierre Disseix 2 François Réveret 2 Joël Leymarie 2 Sophie Bouchoule 3 Frédéric Genty 4 Jean-Paul Salvestrini 4 Paul L Voss 1 Abdallah Ougazzaden 1
1 UMI2958 - Georgia Tech - CNRS [Metz]
2 IP - Institut Pascal
3 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
4 LMOPS - Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes
Type de document :
Communication dans un congrès
17th International Conference on MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy, Jul 2014, Lausanne, Switzerland. Proceedings of the 17th International Conference on MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy, pp.Mon-Poster-0-28, 2014
Liste complète des métadonnées
https://hal-supelec.archives-ouvertes.fr/hal-01108899
Contributeur : Sébastien Van Luchene <>
Soumis le : vendredi 23 janvier 2015 - 16:04:39
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:21

Identifiants

  • HAL Id : hal-01108899, version 1

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Citation

Xin Li, Suresh Sundaram, Youssef El Gmili, Tarik Moudakir, Pierre Disseix, et al.. AlGaN-based multi-quantum wells emitting at 285 nm grown on a thick AlGaN relaxed buffer on AlN template. 17th International Conference on MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy, Jul 2014, Lausanne, Switzerland. Proceedings of the 17th International Conference on MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy, pp.Mon-Poster-0-28, 2014. 〈hal-01108899〉

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