AlGaN-based multi-quantum wells emitting at 285 nm grown on a thick AlGaN relaxed buffer on AlN template

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Communication dans un congrès
17th International Conference on MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy, Jul 2014, Lausanne, Switzerland. Proceedings of the 17th International Conference on MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy, pp.Mon-Poster-0-28, 2014
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Contributeur : Sébastien Van Luchene <>
Soumis le : vendredi 23 janvier 2015 - 16:04:39
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:21

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  • HAL Id : hal-01108899, version 1

Citation

Xin Li, Suresh Sundaram, Youssef El Gmili, Tarik Moudakir, Pierre Disseix, et al.. AlGaN-based multi-quantum wells emitting at 285 nm grown on a thick AlGaN relaxed buffer on AlN template. 17th International Conference on MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy, Jul 2014, Lausanne, Switzerland. Proceedings of the 17th International Conference on MetalOrganic Vapour Phase Epitaxy, pp.Mon-Poster-0-28, 2014. 〈hal-01108899〉

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