. Dans-le-cadre-de-cette-Étude, seront considérées des structures de double peigne/ serpentin de longueurs et de pas de répétition (pitch) différents (Figure V. 10 a et b). L'intérêt de ce type de structures est de simuler le

U. Test-paramétrique-est-ensuite-réalisé, C'est un test électrique automatisé qui permet de mesurer les courants de fuite à bas champs (2V), les résistances et les capacités sur la totalité des structures spécifiées dans le programme de test et ceci pour toutes les puces sur la plaquette. Il permet d'établir pour chaque structure de test une bonne statistique de son comportement électrique. Nous n'étudierons ici

V. Figure, 10: Représentation d'une structure peigne-serpentin utilisée pour les tests électriques

L. Figure, V. Et-figure, and V. , 11b représentent l'impact des différentes étapes de gravure et de retrait résine sur la résistance et la capacité d'une structure peigne

L. Mesures-de-la-résistance, R. Présentés-figure, and V. , 11a font apparaître de réelles différences entre les différents lots étudiés. Les pourcentages indiqués en ordonnée correspondent à des pourcentages cumulés (rendement) En effet, pour un rendement de 50%, cette résistance est évaluée à 280 m pour le procédé " tout eMaX " contre 310 m pour le procédé " Tout TEL " . La résistance obtenue dans ce dernier cas est 10% plus importante que celle obtenue pour le procédé " Tout eMaX

V. Bibliographie-du-chapitre, E. Pargon, O. Joubert, N. Possémé, and L. Vallier, Resist-pattern transformation studied by x-ray photoelectron spectroscopy after exposure to reactive plasmas. I. Methodology and examples

K. H. Bogart, F. P. Klemens, M. V. Malyshev, J. I. Colonell, V. M. Donelly et al., Mask charging and profile evolution during chlorine plasma etching of silicon, Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, vol.18, issue.1
DOI : 10.1116/1.582157

D. Fuard, O. Joubert, L. Vallier, M. Assous, P. Berruyer et al., Etch mechanisms of low dielectric constant polymers in high density plasmas: Impact of charging effects on profile distortion during the etching process, Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, vol.19, issue.6
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. Yanovitskaya, Low dielectric constant materials for microelectronics

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E. Ryan, M. Freeman, L. Svedberg, J. J. Lee, T. Guenther et al., A study of atomic layer deposition and reactive plasma compatibility with mesoporous organosilicate glass films

. La-microscopie-Électronique-en-mode-balayage, STEM pour Scanning Transmission Electron Microscopy) effectuée sur des sections transverses, et couplée aux spectroscopies de pertes d'énergie des électrons primaires EELS (Electron Energy Loss Spectroscopy) est une technique parfaitement adaptée à l'étude des interfaces. En effet, grâce à la taille extrêmement réduite du faisceau électronique, il est possible de réaliser des cartographies de la nature chimique des interfaces

C. C. Ahn and O. Krivanek, EELS Atlas Gatan and HREM Facility Center Solid State Science