K. Kandoussi, Procédé de fabrication à T<200°C de transistors en couches minces de silicium microcristallin déposé par PECVD en mélange SiH 4 -H 2 -Ar, Thèse Université de Rennes, vol.1, 2007.

J. Zi, H. Buscher, C. Falter, W. Ludwig, K. M. Zhang et al., Raman shifts in Si nanocrystals, Appl. Phys. Lett, vol.69, issue.2, pp.200-202, 1996.

G. Viera, S. Huet, and L. Boufendi, Crystal size and temperature measurements in nanostructured silicon using Raman spectroscopy, J. Appl. Phys, vol.90, issue.8, pp.4175-4183, 2001.

E. Anastassakis, Strain characterization of polycrystalline diamond and silicon systems, J. Appl. Phys, vol.86, issue.1, pp.249-258, 1999.

Z. Iqbal, A. P. Webb, and S. Veprek, Polycristalline silicon films deposited in glow discharge at temperatures below 250°C, Appl. Phys. Lett, vol.36, issue.2, pp.163-165, 1980.

.. N. Md, S. Islam, and . Kumar, Influence of crystallite size distribution on the micro-Raman analysis of porous Si, Appl. Phys. Lett, vol.78, issue.6, pp.715-717, 2001.

H. Xia, Y. L. He, L. C. Wang, W. Zhang, X. N. Liu et al.,

J. , Phonon mode study of Si nanocrystals using micro-Raman spectroscopy, J. Appl. Phys, vol.78, issue.11, pp.6705-6708, 1995.

S. D. Brotherton, Polycrystalline silicon thin film transistors, Semicond. Sci. Technol, vol.10, issue.6, pp.721-738, 1995.

R. Cherfi, Optimisation de la qualité électrique du silicium microcristallin déposé à 165°C par PECVD dans un mélange silane-hydrogène-argon, Rapport Interne IETR, 2009.

K. A. Belarbi, Transistors en couches minces de silicium microcristallin fabriqués à T<180° C : stabilité et mobilité, Thèse Université de Rennes, vol.1, 2010.

R. Cherfi and K. Kandoussi, Optimisation du dopage de type P, Rapport Interne IETR, 2008.

, La caractéristique de sortie montre une bonne modulation du courant I DS en fonction de la tension V DS et pour une tension V GS supérieure ou égale à -10V

, Pour cela nous avons prélevé successivement trois fois la caractéristique de transfert d'un P-TFT fabriqué sur PEN

, Le résultat de ce test est représenté par la figure (18) suivante

. Références,

K. Kandoussi, Procédé de fabrication à T<200°C de transistors en couches minces de silicium microcristallin déposé par PECVD en mélange SiH 4 -H 2 -Ar, Thèse Université de Rennes, vol.1, 2007.

J. Haq, S. Ageno, G. B. Raupp, B. D. Vogt, and D. Loy, Temporary bond-debond process for manufacture of flexible electronics: Impact of adhesive and carrier properties on performance, J. Appl. Phys, vol.108, issue.11, pp.114917-114918, 2010.

I. Cheng and S. Wagner, Overview of Flexible Electronics Technology, Book Flexible Electronics, Electronic Materials: Science & Technology, vol.11, pp.1-28, 2009.

K. A. Belarbi, Transistors en couches minces de silicium microcristallin fabriqués à T<180° C : stabilité et mobilité, Thèse Université de Rennes, vol.1, 2010.

B. , Stress mécanique en tension appliqué sur des TFTs de type P Nous avons caractérisé les TFTs de type P en fonction du stress mécanique en tension

, Pour cela nous avons soumis un P-TFT de taille W/L = 100 µm /20 µm aux différents rayons de courbure R

. Références,

B. Tala-ighil, A. Toutah, T. Mohammed-brahim, K. Mourgues, F. Raoult et al., Gate Bias Aging of Unhydrogenated Polycrystalline Silicon TFT's, Solid-State Device Research Conference. Proceeding of the 27th European, pp.608-611, 1997.

N. D. Young and A. Gill, Electron Trapping Instabilities In Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors, Semicond. Sci. Tech, vol.5, issue.1, pp.72-77, 1990.

M. J. Powell, C. Van-berkel, A. R. Franklin, S. C. Deane, and W. I. Milne, Defect Pool In Amorphous-Silicon Thin-Film Transistors, Phys. Rev. B, vol.45, issue.8, pp.4160-4170, 1992.

R. B. Wehrspohn, S. C. Deane, I. D. French, I. Gale, J. Hewett et al., Relative Importance of The Si-Si Bond And Si-H Bond for The Stability of Amorphous Silicon Thin Film, J. Appl. Phys, vol.87, issue.1, pp.144-154, 2000.

W. B. Jackson, Role of band-tail carriers in metastable defect formation and annealing in hydrogenated amorphous silicon, Phys. Rev. B, vol.41, issue.2, pp.1059-1075, 1990.

N. D. Young and J. R. Ayres, Negative Gate Bias Instability in Polycrystalline Silicon TFT's, IEEE Trans. Electron Devices, vol.42, issue.9, pp.1623-1627, 1995.

J. Brochet, Étude de transistors en couches minces à base de silicium polymorphe pour leur application aux écrans plats à matrice active LCD et OLED, 2011.

R. V. Chamberlin, G. Mozurkewich, and R. Orbach, Time Decay of the Remanent Magnetization in Spin-Glasses, Phys. Rev. Lett, vol.52, issue.10, pp.867-870, 1984.

P. Grassberger and I. Procaccia, The long time properties of diffusion in a medium with static traps, J. Chem. Phys, vol.77, issue.12, pp.6281-6284, 1982.

R. Meaudre, M. Meaudre, P. Jensen, and G. Guiraud, Thermal-equilibrium processes and electronic transport in undoped hydrogenated amorphous silicon, Phil. Mag. Lett, vol.57, issue.6, pp.315-320, 1988.

W. B. Jackson, J. M. Marshall, and M. D. Moyer, Role of hydrogen in the formation of metastable defects in hydrogenated amorphous silicon, Phys. Rev. B, vol.39, issue.2, pp.1164-1179, 1989.

K. O. Jeppson and C. Svenson, Negative Bias Stress of MOS Devices at High Electric Fields and Degradation of MNOS Devices, J. Appl. Phys, vol.48, issue.5, p.2004, 1977.

R. B. Wehrspohn, S. C. Deane, I. D. French, and M. J. Powell, Stability of plasma deposited thin film transistors -comparison of amorphous and microcrystalline silicon, Thin Solid Films, vol.383, issue.1-2, pp.117-121, 2001.

K. , K. I. Souleiman, K. Belarbi, R. Cherfi, C. Simon et al., Silicon TFTs simultaneously fabricated at T<180°C, Active Matrix Flat Panel Displays and devices AMFPD'09 Conference, 2009.

H. Gleskova, S. Wagner, and Z. Suo, Failure resistance of amorphous silicon transistors under extreme in-plane strain, Appl. Phys. Lett, vol.75, issue.19, pp.3011-3013, 1999.

S. E. Thompson, G. Sun, Y. S. Choi, and T. Nishida, Uniaxial-Process-Induced Strained-Si: Extending the CMOS Roadmap, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.53, issue.5, pp.1010-1020, 2006.

S. E. Thompson, G. Sun, K. Wu, J. Lim, and T. Nishida, Key Differences For Processinduced Uniaxial vs. Substrate-induced Biaxial Stressed Si and Ge Channel MOSFETs, IEDM. Tech. Digest. IEEE, pp.221-224, 2004.

S. E. Thompson, S. Suthram, Y. Sun, G. Sun, S. Parthasarathy et al., Future of Strained Si/Semiconductors in Nanoscale MOSFETs, IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM'06, pp.681-684, 2006.

, barrière de la couche d'encapsulation et les qualités électriques de l'isolant de grille devra aussi être menée

. Enfin, amélioration des mobilités d'électrons et de trous pour aller vers des applications dans les écrans de haute résolution et de grande surface reste un objectif important