Procédé de fabrication à T<200°C de transistors en couches minces de silicium microcristallin déposé par PECVD en mélange SiH 4 -H 2 -Ar, Thèse Université de Rennes, vol.1, 2007. ,
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Optimisation de la qualité électrique du silicium microcristallin déposé à 165°C par PECVD dans un mélange silane-hydrogène-argon, Rapport Interne IETR, 2009. ,
Transistors en couches minces de silicium microcristallin fabriqués à T<180° C : stabilité et mobilité, Thèse Université de Rennes, vol.1, 2010. ,
Optimisation du dopage de type P, Rapport Interne IETR, 2008. ,
, La caractéristique de sortie montre une bonne modulation du courant I DS en fonction de la tension V DS et pour une tension V GS supérieure ou égale à -10V
, Pour cela nous avons prélevé successivement trois fois la caractéristique de transfert d'un P-TFT fabriqué sur PEN
, Le résultat de ce test est représenté par la figure (18) suivante
,
Procédé de fabrication à T<200°C de transistors en couches minces de silicium microcristallin déposé par PECVD en mélange SiH 4 -H 2 -Ar, Thèse Université de Rennes, vol.1, 2007. ,
Temporary bond-debond process for manufacture of flexible electronics: Impact of adhesive and carrier properties on performance, J. Appl. Phys, vol.108, issue.11, pp.114917-114918, 2010. ,
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Transistors en couches minces de silicium microcristallin fabriqués à T<180° C : stabilité et mobilité, Thèse Université de Rennes, vol.1, 2010. ,
Stress mécanique en tension appliqué sur des TFTs de type P Nous avons caractérisé les TFTs de type P en fonction du stress mécanique en tension ,
, Pour cela nous avons soumis un P-TFT de taille W/L = 100 µm /20 µm aux différents rayons de courbure R
,
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Future of Strained Si/Semiconductors in Nanoscale MOSFETs, IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM'06, pp.681-684, 2006. ,
, barrière de la couche d'encapsulation et les qualités électriques de l'isolant de grille devra aussi être menée
amélioration des mobilités d'électrons et de trous pour aller vers des applications dans les écrans de haute résolution et de grande surface reste un objectif important ,