Drain and Gate Current Low Frequency Noise in Biaxially Strained Siliconn-MOSFETs with Ultrathin Gate Oxides - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Drain and Gate Current Low Frequency Noise in Biaxially Strained Siliconn-MOSFETs with Ultrathin Gate Oxides

T. Contaret
T. Boutchacha
  • Fonction : Auteur
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
CV
F. Bœuf
  • Fonction : Auteur
T. Skotniki
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00146961

Soumis le : mardi 15 mai 2007-15:43:53

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:09:54

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146961 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146961 , version 1

Citer

T. Contaret, T. Boutchacha, G. Ghibaudo, F. Bœuf, T. Skotniki. Drain and Gate Current Low Frequency Noise in Biaxially Strained Siliconn-MOSFETs with Ultrathin Gate Oxides. ULIS conference, 2006, Grenoble, France. pp.XX. ⟨hal-00146961⟩

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