Investigation of interface defects and bulk charges in metal gate HfO_2 MOSFETs

M.A. Negara; K. Cherkauoi; G. Ghibaudo; D. Bauza; W. Tsaii; P. Majhi; P. Hurley

Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Investigation of interface defects and bulk charges in metal gate HfO_2 MOSFETs

, , (1) , (1) , , ,

1

M.A. Negara

Fonction : Auteur

K. Cherkauoi

Fonction : Auteur

G. Ghibaudo

Fonction : Auteur
PersonId : 170596
IdHAL : gerard-ghibaudo
ORCID : 0000-0001-9901-0679
IdRef : 069253099

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique

CV

D. Bauza

Fonction : Auteur
PersonId : 171390
IdHAL : daniel-bauza
IdRef : 103133976

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique

W. Tsaii

Fonction : Auteur

P. Majhi

Fonction : Auteur

P. Hurley

Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00147150

Soumis le : mercredi 16 mai 2007-09:13:15

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:27:13

Dates et versions

hal-00147150 , version 1 (16-05-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00147150 , version 1

Citer

M.A. Negara, K. Cherkauoi, G. Ghibaudo, D. Bauza, W. Tsaii, et al.. Investigation of interface defects and bulk charges in metal gate HfO_2 MOSFETs. European Materials Research Science Spring Meeting, 2006, STRASBOURG, France. pp.XX. ⟨hal-00147150⟩

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