Further evidences that Pb0 centers dominates Si-SiO2 interface traps in fully processed MOSFET's - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Further evidences that Pb0 centers dominates Si-SiO2 interface traps in fully processed MOSFET's

O. Ghobar
  • Fonction : Auteur
N. Guénifi
  • Fonction : Auteur
D. Bauza
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00391868

Soumis le : vendredi 5 juin 2009-10:16:03

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:21:21

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00391868 , version 1 (05-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00391868 , version 1

Citer

O. Ghobar, N. Guénifi, D. Bauza. Further evidences that Pb0 centers dominates Si-SiO2 interface traps in fully processed MOSFET's. 15th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, Jun 2008, BERLIN, France. ⟨hal-00391868⟩

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