HfO2-based solid solutions for high-k/metal gate stack properties improvement - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

HfO2-based solid solutions for high-k/metal gate stack properties improvement

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00392120 , version 1 (05-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392120 , version 1

Citer

C. Dubourdieu, V. Brizé, J. Ubrig, S. Margueron, I. Matko, et al.. HfO2-based solid solutions for high-k/metal gate stack properties improvement. Invited paper, 15th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, Berlin,, Jun 2008, xx, France. ⟨hal-00392120⟩
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