Influence of induced strain on enrichment kinetic during local Ge condensation of SiGe/SOI mesas - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Influence of induced strain on enrichment kinetic during local Ge condensation of SiGe/SOI mesas

N. Dechoux
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
F. Damlencourt
  • Fonction : Auteur
P. Rivallin
  • Fonction : Auteur
P. Brianceau
  • Fonction : Auteur
S. Bemasconi
  • Fonction : Auteur
V. Benevent
  • Fonction : Auteur
C. Vallee
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
T. Billon
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00396878

Soumis le : vendredi 19 juin 2009-09:57:01

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:52:26

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00396878 , version 1 (19-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00396878 , version 1

Citer

N. Dechoux, F. Damlencourt, P. Rivallin, P. Brianceau, S. Bemasconi, et al.. Influence of induced strain on enrichment kinetic during local Ge condensation of SiGe/SOI mesas. ICSI-6 2009, 2009, Los Angeles, United States. ⟨hal-00396878⟩

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