Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00396878
Soumis le : vendredi 19 juin 2009-09:57:01
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:52:26
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00396878 , version 1
Citer
N. Dechoux, F. Damlencourt, P. Rivallin, P. Brianceau, S. Bemasconi, et al.. Influence of induced strain on enrichment kinetic during local Ge condensation of SiGe/SOI mesas. ICSI-6 2009, 2009, Los Angeles, United States. ⟨hal-00396878⟩
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