Piezoresistance Effect of Strained and Unstrained Fully-Depleted Silicon-On-Insulator MOSFETs Integrating an HfO2/TiN Gate Stack - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2009

Piezoresistance Effect of Strained and Unstrained Fully-Depleted Silicon-On-Insulator MOSFETs Integrating an HfO2/TiN Gate Stack

Domaines

Autre [cond-mat.other] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00596170

Soumis le : jeudi 26 mai 2011-16:18:34

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:56:32

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Dates et versions

hal-00596170 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596170 , version 1

Citer

F. Rochette, M. Cassé, M. Mouis, A. Haziot, T. Pioger, et al.. Piezoresistance Effect of Strained and Unstrained Fully-Depleted Silicon-On-Insulator MOSFETs Integrating an HfO2/TiN Gate Stack. Solid-State Electronics, 2009, 53 (3), pp.392-396. ⟨hal-00596170⟩

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