Analysis of charge sensitivity and low frequency noise limitation in silicon nanowire sensors - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journ. Appl. Phys Année : 2010

Analysis of charge sensitivity and low frequency noise limitation in silicon nanowire sensors

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Autre [cond-mat.other] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00596315

Soumis le : vendredi 27 mai 2011-09:22:10

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:49:56

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Dates et versions

hal-00596315 , version 1 (27-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596315 , version 1

Citer

J.W. Lee, D. Jang, T. Kim, M. Mouis, G. Ghibaudo. Analysis of charge sensitivity and low frequency noise limitation in silicon nanowire sensors. Journ. Appl. Phys, 2010, 107, pp.044501. ⟨hal-00596315⟩

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