Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2010
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00596348
Soumis le : vendredi 27 mai 2011-10:02:46
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:56:32
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596348 , version 1
Citer
L. Pham-Nguyen, C. Fenouillet-Beranger, G. Ghibaudo, T. Skotnicki, S. Cristoloveanu. Mobility enhancement by CESL strain in short-channel ultrathin SOI MOSFETs. Solid-State Electronics, 2010, 54 (2), pp.123-130. ⟨hal-00596348⟩
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